MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=30Vdc,IDQ
= 1600 mA, 1930--1990 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
245
?
W
IMD Symmetry @ 220 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc (Delta IMD Third Order Intermodulation
Intermodulation
between Upper and Lower Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
15
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
75
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
=74WAvg.
GF
?
0.6
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.014
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
(1)
?P1dB
?
0.011
?
dB/°C
1. Exceeds recommended operating conditions. See
CW operation data in Maximum Ratings table.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF8S21120HSR3
FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS
MRF8S21140HSR3
FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
MRF8S21200HSR6
MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
MRF8S23120HSR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF8S26120HSR3
FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S
MRF8S7170NR3
FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
MRF8S9100HSR5
MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3
FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
相关代理商/技术参数
MRF8S21100HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W
RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21100HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W
RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21100HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W
RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21100HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W
RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21120HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21120HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21120HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21120HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
